德国BALLUFF巴鲁夫BMF00NR圆柱形磁场传感器选购指南

德国BALLUFF巴鲁夫BMF00NR圆柱形磁场传感器随着温度的变化，半导体感温器件电阻会发生较大的变化，这种器件称为热敏电阻。常用的热敏电阻为陶瓷热敏电阻，分为负温度系数（NTC）热敏电阻、正温度系数（PTC）热敏电阻和临界温度电阻（CTR）。热敏电阻一般指NTC热敏电阻。但很多情况下，膜的生成技术和粘附技术等成为非常重要的因素。在ISFET的情况下，要格外注重离子传感器器件化技术。例如，用于细胞内液体测定等目的，则传感器的超小型化和灵巧化的研究颇为重要。使用ISFET时，为了使离子感应膜与栅表面的间隙中渗入水份后不致缩短传感器的寿命，还要从栅绝缘膜和离子感应膜的化学结合方法等方面想办法。期望具有小型特点的ISFET在生物体内有效地利用

这就需要研究提高生物体适应性传感器是一种利用半导体二极管、三极管的特性与温度的依赖关系制成的温度传感器。非接触型温度传感器可检出被测物体发射电磁波的能量。传感器可以是将放射能直接转换为电能的半导体物质，也可以先将放射能转换为热能，使温度升高，然后将温度变化转换成电信号而检出。这可用来测量一点的温度，如测温度分布，则需进行扫描。当对象温度低、只能发射红外线时，则须检出其红外线。半导体磁传感器体积小、重量轻、灵敏度高、可靠性高、寿命长，在电子学领域得到应用。

此外，还可利用磁效应制作长度与重量传感器、高分辨（0.01度）的倾斜传感器，以及测定液体流量等，半导体在承受压力时禁带宽度发生变化，导致载流子浓度和迁移率变化。这样引起的电阻变化比金属丝受压时截面积减小引起的电阻变化要大两个数量级。因此半导体压力传感器具有高灵敏度。将 P型半导体与 N型半导体组合使用还可制成灵敏度更高的压力传感器。扩散型半导体压力传感器采用集成电路工艺制成，可以提高性能，改进测量的精度。如加工硅单晶制成受压膜片，在其表面用平面工艺扩散再制成压力规，由于二者处在同一硅片上，可以减少滞后、提高精度

技术参数：

接口

M8x1-公头, 3-针

电缆

PUR, 0.3 m

应用

安装灵活

可实现开关距离> 20 mm

紧固

端子

外壳材料

黄铜, 镀镍

开关输出端

PNP常开触点 (NO)

开关频率

10000 Hz

工作电压Ub

10~30 VDC

环境温度

-25...85 °C

防护等级

IP67

许可/一致性

cULus

CE

UKCA

WEEE